Η Samsung στρέφεται στην Τεχνολογία SOM για τις μνήμες επόμενης γενιάς

Η Samsung αναπτύσσει μια επαναστατική τεχνολογία μνήμης, γνωστή ως Single-level chalcogenide memory (SOM), που χρησιμοποιεί μοναδικά υλικά χαλκογονιδίου (chalcogenide) για να αντικαταστήσει τόσο την κυψέλη μνήμης όσο και τη συσκευή επιλογής (selector). Σε αντίθεση με τις παραδοσιακές μνήμες φάσης αλλαγής ή τις μνήμες αντίστασης RAM, που χρειάζονται έναν ξεχωριστό επιλογέα (όπως έναν τρανζίστορ), το SOM βασίζεται στην ικανότητα των υλικών χαλκογενιδίου να αλλάζουν μεταξύ αγώγιμων και αντιστατικών καταστάσεων για αποθήκευση δεδομένων.

Η επιλογή του κατάλληλου χαλκογονιδίου για το SOM δεν είναι απλή υπόθεση. Η Samsung χρησιμοποίησε προηγμένα μοντέλα υπολογιστών για να προβλέψει τις ιδιότητες διαφόρων συνδυασμών χαλκογονιδίου , περιορίζοντας τον αριθμό από περίπου 4.000 πιθανά υλικά σε 18 υποψήφιους. Με αυτόν τον τρόπο, η Samsung απέφυγε τις χρονοβόρες και κοστοβόρες φυσικές δοκιμές, αξιοποιώντας αντ’ αυτού προσομοιώσεις που αναλύουν τη θερμική σταθερότητα, την αγώγιμη συμπεριφορά και άλλες βασικές ιδιότητες των υλικών.

Οι προσομοιώσεις ανέδειξαν σημαντικές μετρικές, όπως την απόκλιση της τάσης κατωφλίου και το «παράθυρο μνήμης» που διαχωρίζει τις καταστάσεις on και off με την πάροδο του χρόνου. Η Samsung υποστηρίζει πως οι τεχνικές μοντελοποίησης της καθορίζουν σαφή κριτήρια για τον εντοπισμό των πιο υποσχόμενων μιγμάτων SOM, δίνοντας στην εταιρεία προβάδισμα στην αγορά μνήμης.

Το ερευνητικό αποτέλεσμα πρόκειται να παρουσιαστεί τον Δεκέμβριο στο International Electron Devices Meeting. Χάρη σε αυτή την υπολογιστική επιτάχυνση, η Samsung προχωρά δυναμικά στην ανάπτυξη SOM, έχοντας ήδη παρουσιάσει πέρυσι ένα πρωτότυπο chip 64Gb με πυκνότητα κυψέλης μόλις 16nm, αποδεικνύοντας ότι αποτελεί ηγετική δύναμη στον τομέα.