Η Samsung Electronics Co. Ltd. ανακοίνωσε την έναρξη μαζικής παραγωγής της 9ης γενιάς V-NAND τετραπλής κυψέλης (QLC), επιτυγχάνοντας ορόσημο στον τομέα της αποθήκευσης δεδομένων. Η νέα αυτή τεχνολογία, η οποία βασίζεται στο Channel Hole Etching για την επίτευξη του μεγαλύτερου αριθμού επιπέδων με δομή διπλής στοίβας, έρχεται μόλις τέσσερις μήνες μετά την παραγωγή της 9ης γενιάς V-NAND με τριπλή κυψέλη (TLC).
«Η επιτυχής έναρξη της μαζικής παραγωγής του QLC 9ης γενιάς μας επιτρέπει να προσφέρουμε λύσεις SSD που καλύπτουν τις απαιτήσεις της εποχής της Τεχνητής Νοημοσύνης», δήλωσε ο SungHoi Hur, Εκτελεστικός Αντιπρόεδρος και Επικεφαλής του Τμήματος Flash Product & Technology της Samsung. Η εταιρεία σχεδιάζει να εφαρμόσει τη νέα τεχνολογία τόσο σε καταναλωτικά προϊόντα όσο και σε λύσεις για φορητούς υπολογιστές και διακομιστές.
Με τη χρήση της τεχνολογίας Predictive Program, η Samsung κατάφερε να βελτιώσει την ταχύτητα εγγραφής και εισόδου δεδομένων κατά 60%, ενώ παράλληλα μείωσε την κατανάλωση ενέργειας κατά 30% και 50% σε ανάγνωση και εγγραφή αντίστοιχα, καθιστώντας τη νέα V-NAND πιο αποδοτική και αξιόπιστη για προηγμένες εφαρμογές.
Recommended Comments
There are no comments to display.
Create an account or sign in to comment
You need to be a member in order to leave a comment
Create an account
Sign up for a new account in our community. It's easy!
Register a new accountSign in
Already have an account? Sign in here.
Sign In Now