Η Samsung μοιράζεται τα σχέδια της για τα τσιπ 2nm και 1.4nm

Η Samsung παρουσίασε τον ενημερωμένο χάρτη πορείας της τεχνολογίας κατασκευής στο ετήσιο Samsung Foundry Forum (SFF) 2023. Η εταιρεία βρίσκεται σε καλό δρόμο για την παραγωγή τσιπ στους κόμβους της κλάσης 2nm και 1,4nm το 2025 και το 2027, αντίστοιχα. Επιπλέον, η εταιρεία σκοπεύει να προσθέσει μια κορυφαία διαδικασία κατασκευής ραδιοσυχνοτήτων κλάσης 5nm και να αρχίσει να παράγει τσιπ GaN τα επόμενα χρόνια.

Η Samsung αναμένει ότι η τεχνολογία κατασκευής SF2 (κλάσης 2nm) θα παρέχει 25% υψηλότερη απόδοση ισχύος (στην ίδια συχνότητα και αριθμό τρανζίστορ), 12% υψηλότερη απόδοση (στην ίδια ισχύ και πολυπλοκότητα) και 5% μείωση της επιφάνειας (στον ίδιο αριθμό τρανζίστορ) σε σύγκριση με την SF3 (κλάσης 3nm 2ης γενιάς), αποκάλυψε η εταιρεία στο SFF 2023. Η εταιρεία θα αρχίσει να κατασκευάζει κινητά SoCs στον κόμβο των 2nm το 2025 και στη συνέχεια θα ακολουθήσει ο ενισχυμένος με HPC κόμβος SF2P το 2026. Εν τω μεταξύ, η διαδικασία κατασκευής SF1.4 (κλάση 1,4nm) προβλέπεται να είναι διαθέσιμη στους πελάτες της Samsung το 2027.

Για να καταστήσει τον κόμβο SF2 πιο ανταγωνιστικό, η Samsung σκοπεύει να διασφαλίσει ότι οι πελάτες της θα έχουν σύντομα πρόσβαση σε μια συλλογή από υψηλής ποιότητας IPs SF2, συμπεριλαμβανομένων διεπαφών όπως LPDDR5x, HBM3P, PCIe Gen6 και 112G SerDes.

Εκτός από την προσφορά τεχνολογιών αιχμής για SoCs smartphone, client PC και datacenter, η Samsung σχεδιάζει επίσης να προσφέρει εξειδικευμένες διαδικασίες κατασκευής τα επόμενα χρόνια. Αυτό περιλαμβάνει την SF2A προσαρμοσμένη για εφαρμογές στην αυτοκινητοβιομηχανία το 2027 και τον κόμβο ραδιοσυχνοτήτων (RF) των 5 nm το 2025. Σε σύγκριση με τη διεργασία RF της τρέχουσας γενιάς 14nm, η επερχόμενη RF των 5nm αναμένεται να βελτιώσει την αποδοτικότητα ισχύος κατά 40% και να αυξήσει την πυκνότητα των τρανζίστορ κατά περίπου 50%.

Η Samsung πρόκειται επίσης να ξεκινήσει την κατασκευή ημιαγωγών ισχύος από νιτρίδιο γαλλίου (GaN) το 2025. Αυτά τα τσιπ θα απευθύνονται σε μια ποικιλία εφαρμογών, από τα καταναλωτικά ηλεκτρονικά μέχρι τα κέντρα δεδομένων και την αυτοκινητοβιομηχανία.

Η Samsung Foundry δεν εστιάζει μόνο στη διεύρυνση του τεχνολογικού της χαρτοφυλακίου, αλλά και στην ενίσχυση των παραγωγικών της δυνατοτήτων στις ΗΠΑ και τη Νότια Κορέα. Η εταιρεία σχεδιάζει να ξεκινήσει την παραγωγή τσιπ σε μεγάλο όγκο στη γραμμή 3 (Pyeongtaek line 3, P3) το δεύτερο εξάμηνο του 2023. Όσον αφορά το εργοστάσιο στο Τέιλορ του Τέξας, βρίσκεται σε καλό δρόμο για την ολοκλήρωση της κατασκευής του μέχρι το τέλος του έτους και η λειτουργία του προβλέπεται να ξεκινήσει το δεύτερο εξάμηνο του 2024 (πιθανότατα πολύ αργά το 2024).

Στο πλαίσιο των φιλόδοξων στόχων της, η συμβεβλημένη κατασκευάστρια εταιρεία τσιπ σκοπεύει να ενισχύσει τη συνολική χωρητικότητά της σε καθαρά δωμάτια κατά 7,3 φορές έως το 2027, μια σημαντική αύξηση σε σύγκριση με τη χωρητικότητα που κατείχε το 2021.