Η Samsung γίνεται η πρώτη εταιρία που ξεκινά την παραγωγή τσιπ στα 3nm

Την περασμένη εβδομάδα, εμφανίστηκαν φήμες ότι η Samsung σύντομα θα ανακοινώσει ότι έκοψε πρώτη το νήμα στα 3nm, αφήνοντας δεύτερη την TSMC. Χθες, η Samsung επιβεβαίωσε την είδηση με ένα εορταστικό δελτίο τύπου. Είναι το η πρώτη εταιρία που ξεκίνησε την παραγωγή στα 3 nm. Είναι επίσης η πρώτη εταιρία που κινείται πέρα από το FinFET σε τρανζίστορ gate-all-around (GAA), το οποίο είναι ένα σημαντικό επίτευγμα. Θα πρέπει να σημειώσουμε ότι πουθενά στο δελτίο τύπου της Samsung δεν αναφέρει ότι ξεκίνησε η παραγωγή μεγάλου όγκου (HVM). Επομένως, δεν είναι σαφές πόσα waffers μπορεί να παράγει αυτήν τη στιγμή.
Τα νέα σηματοδοτούν το αποκορύφωμα μιας πολυετούς προσπάθειας της Samsung να επιτύχει αυτό το κρίσιμο ορόσημο χωρίς σοβαρές καθυστερήσεις. Η Samsung ανακοίνωσε για πρώτη φορά το σχέδιο GAA το 2019, αποκαλώντας το MBCFET. Αυτό σημαίνει Multi-Bridge Channel Field Effect Transistor, το οποίο είναι ένα σχέδιο νανοφύλλων. Αυτό είναι διαφορετικό από τη διαδικασία RibbonFET της Intel, η οποία χρησιμοποιεί λεπτά νανοσύρματα. H TSMC θα χρησιμοποιήσει επίσης σε νανοφύλλα, αλλά όχι μέχρι τα 2 nm. Για 3 nm θα συνεχίσει τη χρήση του FinFET μέσω ενός προσαρμόσιμου σχεδίου που ονομάζεται FinFlex. Η TSMC αναμένεται να ξεκινήσει την παραγωγή 3 nm κάποια στιγμή στα τέλη του 2022.