anthis Φεβρουάριος 21, 2007 #21 Κοινοποίηση Φεβρουάριος 21, 2007 Έτσι λοιπόν εξηγούνται όλα λογικά... Ωραία... :turn: Link to comment Share on other sites More sharing options...
DoctorMad Φεβρουάριος 21, 2007 Author #22 Κοινοποίηση Φεβρουάριος 21, 2007 Αρχική απάντηση από anthis [Σήμερα, στις 19:40] Έτσι λοιπόν εξηγούνται όλα λογικά... Ωραία... :turn: Ναι ευχαριστώ. Το να βλέπουμε βέβαια το τρανζίστορ ως ένα διακόπτη που μπορεί να ανοικοκλείνει σε χρόνο R*C είναι υπεραπλούστευση, αλλά στα ψηφιακά ηλεκτρονικά, αυτός είναι ο ρόλος των τρανζίστορ, να λειτουργούν ως διακόπτες που κάνουν επαφή είτε με το ground (λογικό 0) είτε με τα +5V (λογικό 1), ανάλογα με το αν η είσοδος τους (βάση) είναι σε λογικό 1 ή 0. Logic Gates from transistors (Hyperphysics) Link to comment Share on other sites More sharing options...
DoctorMad Φεβρουάριος 23, 2007 Author #23 Κοινοποίηση Φεβρουάριος 23, 2007 Επειδή κάνοντας λίγη παραπάνω έρευνα, διαπίστωσα ότι τελικά στους σύγχρονους επεξεργαστές χρησιμοποιούνται MOS-FET τρανζίστορ (για την ακρίβεια CMOS FET)και όχι bipolar (BJT) τα οποία έχουν διαφορετικό μηχανισμό λειτουργίας, ένα link που εξηγεί κάπως καλύτερα την σχέση της χωρητικότητας με τον χρόνο που χρειάζεται το τρανζίστορ για να ανοιγοκλείσει είναιMOSFETs BasicsΟ τύπος που δίνεται στο εξής pdf για την χωρητικότητα μεταξύ gate και source δείχνει να έχει παρόμοια εξάρτηση από την επιφάνεια του τρανζίστορ, αλλά δε μπορώ να βρώ σύνδεση του τύπου με θερμοκρασία και τάση. (δεν μιλάμε πια για χωρητικότητα p-n επαφής αλλά για χωρητικότητα μεταξύ p substrate και metal-polysilicon).Μάλλον κάποιος που έχει μελετήσει τα MOSFET περισσότερο θα μπορεί να μας βοηθήσει εδω πέρα.Υ.Γ Τελικά η αύξηση της τάσης στα MOSFET δεν μειώνει την χωρητικότητα αλλά κάνει το Gate-Source πυκνωτή να φορτίζεται πιο γρήγορα στην τάση Vgs(threshold) που απαιτείται για να ανοίξει το τρανζίστορ. Η σταθερά R*C παραμένει ίδια δηλαδή ξέρουμε ότι σε μια σταθερά χρόνου ο πυκνωτής φορτίζεται σε ένα σταθερό(ανάλογο του R*C) ποσοστό της αρχικής τάσης. ’λλά αν η αρχική τάση είναι μεγαλύτερη ο πυκνωτής φορτίζει σε χρόνο R*C σε μεγαλύτερη τάση, η για να φορτίσει στη δεδομένη Vgs(threshold) απαιτείται λιγότερος χρόνος.Τώρα η θερμοκρασία T μάλλον έχει να κάνει με την Vgs(threshold) δηλαδή όσο μικραίνει να μικραίνει και η Vgs(threshold). Εδώ θέλει λίγο ψάξιμο ακόμα. Σίγουρα πάντως έχει να κάνει με την αντίσταση R των interconnections και του metal από το οποίο αποτελείται το gate ηλεκτρόδιο του MOSFET. (η R μικραίνει όσο μικραίνει το T ). Link to comment Share on other sites More sharing options...
Recommended Posts
Archived
This topic is now archived and is closed to further replies.