greekfragma Δημοσιεύτηκε Ιανουάριος 11, 2005 #1 Δημοσιεύτηκε Ιανουάριος 11, 2005 μπραβο μπιλαρε για την ερευνα με τα BH............καμια ρυθμιση με tccd 512αρια δοκιμασες?????
Sakis Ιανουάριος 11, 2005 #3 Ιανουάριος 11, 2005 Θα ελεγα level 2 για TCCD και 1 για bh,τουλαχιστον απο οτι εχω δει στο νετ.
chroma Ιανουάριος 16, 2005 #4 Ιανουάριος 16, 2005 Κατόπιν δοκιμής TCCD (ADATA DDR600) Drive Strength Level 1 δούλεψε καλύτερα και σε αυτές.
Sakis Ιανουάριος 16, 2005 #5 Ιανουάριος 16, 2005 Αρχική απάντηση από chroma Κατόπιν δοκιμής TCCD (ADATA DDR600) Drive Strength Level 1 δούλεψε καλύτερα και σε αυτές. chroma 2χ512;
chroma Ιανουάριος 16, 2005 #6 Ιανουάριος 16, 2005 Δυστυχώς μόνο ένα στικ 512, αν και είχαμε δύο στη διάθεση μας έκανε πολύ νύστα. Μπορεί να ξανακάτσει δοκιμή, θα σας ενημερώσω Επειδή βλέπω το θέμα το θέμα TCCD ενδιαφέρει, εγινε split από το προηγούμενο με τις ΒΗ. Σε αυτά τα timings μια γρήγορη δοκιμή οι ADATA DDR600 (1x512) και 2.7 έφτασαν μέχρι 310MHz. Dram Frequency Set(Mhz)= 200(Mhz)(1/01) Command Per Clock(CPC)= Enable(1T) Cas Latency Control(tCL)= 2.5 RAS# to CAS# delay(tRCD)= 3 Min RAS# active timing(tRAS)= 5 Row Precharge timing(tRP)= 3 Row Cycle Time(tRC)= 17 Row Refresh cyc time(tRFC)= 19 Row to Row Delay(Ras to Ras delay)(tRRD)= 02 Write Recovery Time(tWR)= 3 Write to read Delay(tWTR)= Auto Read to Write delay(tRTW)= Auto Refresh Period(tREF)= Auto Write CAS# Latency(tWCL)= 4 -- DQS skew Contro= Auto DQS Skew Value= 0 DRAM Drive Strength= Level 1 Max Asynce lantency= 9ns Read Preamble time= 5.5ns Idle Cycle Limit= 016 Dynamic Counter= Auto R/W Queue Bypass= 8x Bypass Max= 04x 32 byte Granulation= Auto
Daidalos Ιανουάριος 16, 2005 #7 Ιανουάριος 16, 2005 Πολυ καλα τα πηγαν οι ADATA. Kαι μονο με 2,7V ε??
Sakis Ιανουάριος 16, 2005 #8 Ιανουάριος 16, 2005 Μπραβο πεταει εστω και για ενα στικακι,θα δοκιμασω το βραδι τις ρυθμισεις και με ενα απο τα δικα μου (mushkin) και ας εχουμε λιγο διαφορετικα pcb,θα δουμε και για το DRAM Drive Strength πως παιζει με ενα και με δυο στικς.
chroma Ιανουάριος 16, 2005 #9 Ιανουάριος 16, 2005 Σε κάποιες ρυθμίσεις ακουν στη τάση και σε κάποιες άλλες πρέπει να παίζει χαμηλά, με 2.7-2.8v. Κάποιες παραήταν ξεχυλωμένες, ειδικά αυτά τα trc 17, trfc 19 και max async 9ns στο λαιμό μου κάθησαν αλλά είμαι σίγουρος οτι σφίγγουν και οι μνήμες μπορούν και καλύτερα.
zyx Ιανουάριος 16, 2005 #10 Ιανουάριος 16, 2005 R/W Queue Bypass= 8xBypass Max= 04xαυτα μπιλλι γιατι ετσι?
chroma Ιανουάριος 16, 2005 #11 Ιανουάριος 16, 2005 Έκανε πολύ νύστα Θόδωρα και ήθελα να αποκλείσω το θέμα cpu γιατί δεν το έχω ψάξει πως ανταποκρίνεται στα 300+ ο IMC. Υπόσχομαι θα επανέλθω με περισσότερα αποτελέσματα. Καλά εγώ νόμιζα οτι DFI + TCCD είχαν πολλοί, που είναι;
Sakis Ιανουάριος 17, 2005 #12 Ιανουάριος 17, 2005 chroma μπορεις να μου πεις με τι multi βγηκε το 310;
Husky Ιανουάριος 17, 2005 #13 Ιανουάριος 17, 2005 Το multi στα 9χ .Με 8χ και στο DFI αλλά και στο MSI 939 οι μνήμες χάνουν πολύ τουλάχιστον 10-15 MHz
tyxeros Ιανουάριος 17, 2005 #14 Ιανουάριος 17, 2005 Εγω με 2χ512 ADATA DDR600 σε Τ1 ειχα παει 275 στην DFI nf3 250. Παραπανω δεν ηταν σταθερο οσο ρευμα και να εδινα. Δεν ειχα κατσει να το ψαξω ομως και παρα πολυ.
Sakis Ιανουάριος 17, 2005 #15 Ιανουάριος 17, 2005 Δυστιχως με αυτες τις ρυθμισεις δεν μπαινω ουτε win. καλα καλα,απο 275-280 που δοκιμασα πληρης ασταθεια με 1χ512 και 2χ512 (mushkin pc3200 l2v2). Απο την αλλη παλι, συνεχισα λιγο με τις ρυθμισεις που ειχα,δυστιχως δεν υπαρχει αρκετος χρονος για δοκιμες αλλα οι mushkin δειχνουν να ανεβαινουν αργα αλλα σταθερα και ειλικρινα ειμαι μπερδεμενος νομιζα οτι τα TCCD δεν παιρνουν καψιμο,μπορειτε να δειτε εδω τι εννοω:http://www.thelab.gr/showthread.php?s=&threadid=10468&perpage=20&pagenumber=1 Dram Frequency Set(Mhz)= 200(Mhz)(1/01) Command Per Clock(CPC)= Enable(1T) Cas Latency Control(tCL)= 2.5 RAS# to CAS# delay(tRCD)= 3 Min RAS# active timing(tRAS)= 7 Row Precharge timing(tRP)= 3 Row Cycle Time(tRC)= 7 Row Refresh cyc time(tRFC)= 14 Row to Row Delay(Ras to Ras delay)(tRRD)= 7 Write Recovery Time(tWR)= 3 Write to read Delay(tWTR)= 2 Read to Write delay(tRTW)= 4 Refresh Period(tREF)= 3072 Write CAS# Latency(tWCL)= 1(με παραπανω χρειαζομαι clear cmos) -- DQS skew Contro= decrease skew DQS Skew Value= 0 DRAM Drive Strength= Level 2 Max Asynce lantency= 8ns Read Preamble time= 5.5ns Idle Cycle Limit= 016 Dynamic Counter= Auto R/W Queue Bypass= Auto Bypass Max= Auto 32 byte Granulation= Auto Vdimm 2.8 ειναι η πρωτη φορα που δουλευει σωστα στα 278 με χαμηλο ρευμα και μαλιστα με RAS# to CAS# delay(tRCD)= 3.
Recommended Posts
Archived
This topic is now archived and is closed to further replies.