MADKiller7 Δημοσιεύτηκε Μάϊος 26, 2005 #1 Δημοσιεύτηκε Μάϊος 26, 2005 γεια σας παιδια,εχω εναν προβληματισμο τελευταια που σχετιζεται με το o/c.εχω 4*256 DDR400 TCCC τσιπακια,λοιπον με 4*256 ειμαι σταθερος μεχρι τα 237 παραπανω ζοριζεται ο IMC,βγαζει μεμτεστ αλλα δεν ειναι σταθερος.αλλα αν βγαλω τα 2 dimm και μεινω με 2*256,τοτε ανετα οι μνημες ανεβαινουν μεχρι 257 περιπου χωρις ρευμα.λοιπον τι να προτιμησω 4*256 DDR400 @ DDR466 me 3-3-3-8 2T η 2*256 DDR400 @ DDR500 με 3-4-3-8 2T η 1Τ (δεν εχω τεσταρει με 1Τ σε αυτην την συχνοτητα),εννοειται οτι τα ιδια MHz θα εχει και το FSB του Α64.επιδοσεις η ποσοτητα?
SotosLg Μάϊος 26, 2005 #2 Μάϊος 26, 2005 Εμεις τα εχουμε πει.Καλυτερα να εχεις τις 2*256αρες για να ανεβεις παραπανω
MADKiller7 Μάϊος 26, 2005 Author #3 Μάϊος 26, 2005 Εμεις τα εχουμε πει.Καλυτερα να εχεις τις 2*256αρες για να ανεβεις παραπανω για αυτο ρωταω και το φορουμ ολοκληρο,καλο το 1 GB,καλα και τα πολλα MHz,αλλα δεν ειναι καλο το swapping σε μερικες εφαργμογες,πχ.Unreal παιζω μια χαρα αλλα στο Half-Life2 διαβαζει πολυ συχνα το δισκο. ΟΣΟΙ ΧΡΗΣΤΕΣ εχετε/ειχατε σε καποιο μηχανημα 2*256 και πολλα MHz στις μνημες σας ποσταρετε τις γνωμες σας υποχρεωτικα :003: .και τι θα προτιμουσατε απο τα 2 που ρωταω. γενικα θελω γνωμες απο ολους.
SotosLg Μάϊος 26, 2005 #5 Μάϊος 26, 2005 Ψηφιζω 1GB . Τι να κανω την ταχυτητα , αν σερνονται ολα ! Σωστη και η αποψη σου Στελιο... :002:
SotosLg Μάϊος 26, 2005 #6 Μάϊος 26, 2005 Γιατι δεν σκεφτεσε να πουλησεις τις 4 256αρες και να παρεις 2 512αρες?
yanni Μάϊος 26, 2005 #8 Μάϊος 26, 2005 Ρε συ είναι εξαιρετικά απλό. Όταν θα είναι να τρέξεις benchmarks θα βγάζεις τις 2 μνήμες θα ανεβάζεις χρονισμούς και θα παίρνεις τα νουμεράκια που θέλεις. Βγάζε και 3 μνήμες.Αλλά για καθημερινή χρήση το 1Gb λέει σε σχέση με τα 512Mb ιδίως αν έχεις φορτωμένα τα Windows με ένα κάρο εφαρμογές.Τώρα αν κάθε 3 ώρες τρέχεις και από 1 benchmark και προφανώς δεν μπορείς να βάζεις βγάζεις μνήμες τότε καλύτερα... κόψε τη συνήθεια του να τρέχεις όλη την ώρα benchmarks....!!!Οπότε και εγώ σου προτείνω 4Χ256. Δεν σου προτείνω πάντως να σκοτώσεις ( διότι για πώληση δεν το συζητάμε ) τις μνήμες σου για 2Χ512.
chaos Μάϊος 26, 2005 #9 Μάϊος 26, 2005 Πηγαινε παρε 2χ512 αυτη ειναι η καλυτερη λυση.Απο την αλλη μερια εαν δεν θες να δωσεις χρηματα κανε αυτο που θα σου πω.Διαφορα σοβαρη στις επιδοσεις μεταξυ των εφαρμογων που χρησιμοποιεις απο τη χρηση 1Τ ή 2Τ δεν υπαρχει.Εγω στην αρχη νομιζα οτι υπηρχε αλλα απο διαφορα benchmark προκυπτει οτι δεν υπαρχει.Εξαλλου το command rate εχει να κανει με το χρονο που απαιτειται για την αρχικη προσβαση σε ενα memory bank απο το Chip Select .Οταν το σημα chip select παει απο high σε low ωστε να ενεργοποιηθει ο ελεγκτης εντολων(command controller) τοτε σηματοδοτειται η δυνατοτητα προσπελασης στη μνημη.Αυτο συνηθως γινεται σε ενα κυκλο 1Τ ενω καποιες φορες π.χ εαν η μνημη ειναι registered σε δυο κυκλους.Αρα το command rate επηρεαζει μονο την αρχικη προσβαση .Δηλαδη παιζει ρολο οταν και μονο εχουμε page miss.Ενω οταν εχουμε page hit δεν παιζει ρολο.Οταν καποιο benchmark λοιπον σαν το sisoft sandra δινει μεγαλες διαφορες αυτο οφειλεται στο τροπο που χειριζεται τη μνημη κατα τη διαδικασια της μετρησης και οχι στη real life αποδοση οπως θα λεγαμε.Αρα...βαλε το command rate στο 2Τ και μην το πειραζεις.Ο λογος που δεν μπορεις να τρεξεις σε 1Τ με 4 dimms ειναι επειδη υπαρχουν πολλα memory banks στο συστημα και η επιπροσθετη καθυστερηση ειναι απαραιτητη ωστε να βρεθουν τα υπο αναζητηση δεδομενα.Να προσδιοριστει σε ποιο memory bank βρισκονται δηλαδη.Μην προτιμησεις το 2χ256 αλλα το 4χ256 με χρονισμο 2.5-3-3-6 στα 2.70V.Υπαρχει κατι σημαντικο που οι περισσοτεροι αγνοουν.Η διαφορα στις επιδοσεις μεταξυ CAS latency 2 και 2.5 ειναι μολις 1% ενω μεταξυ CAS latency 2.5 και 3 ειναι καπως μεγαλυτερη.Ο λογος που συμβαινει αυτο οφειλεται στο εξης.Η DDR κανει αυτο που ονομαζουμε command forwarding.Μπορει δηλαδη να εκκινησει τη εντολη read μια CAS latency προτου ολοκληρωθει η μεταφορα δεδομενων χωρις να επηρεαζει τη data integrity(ακεραιοτητα δεδομενων) στα buffer εξοδου.Αυτο βεβαιως σημαινει οτι μεταξυ cas 2 και cas 2,5 εχουμε ποινη 0.5 κυκλου μονο σε μια random access ενω οταν η προσπελαση ειναι in-page τοτε δεν υπαρχει προσθετη επιβαρυνση χρονου μεταξυ CAS 2 και CAS 2.5.Κατι ομως που δεν μπορει να γινει με CAS 3 οποτε η διαφορα αποδοσης μεταξυ Cas 2.5 και Cas 3 ειναι μεγαλυτερη απο οτι Cas 2 και 2.5.Αρα προσπαθησε να βαλεις την Cas στο 2.5 και θα παρεις αποδοση πολυ κοντα στο Cas 2.
panoc Μάϊος 26, 2005 #10 Μάϊος 26, 2005 εχωντας πριν 2 χ 256 που ανεβαιναν μεχρι τα 252 και τώρα με 2 χ 512 που πανε ομως μέχρι τα 237 πρεπει να πω οτι προτιμω τα 2 χ 512, η διαφορα ταχύτητας φαίνετε μονο στα benches υπερ των 2 χ 256 αλλα στα windows με πολλές εφαρμογές η διαφορά υπερ των 2 χ 512 ειναι παραπάνω από εμφανή.1 GB και από εμένα.
pokemon6401442169101 Μάϊος 26, 2005 #11 Μάϊος 26, 2005 Πηγαινε παρε 2χ512 αυτη ειναι η καλυτερη λυση.Απο την αλλη μερια εαν δεν θες να δωσεις χρηματα κανε αυτο που θα σου πω.Διαφορα σοβαρη στις επιδοσεις μεταξυ των εφαρμογων που χρησιμοποιεις απο τη χρηση 1Τ ή 2Τ δεν υπαρχει.Εγω στην αρχη νομιζα οτι υπηρχε αλλα απο διαφορα benchmark προκυπτει οτι δεν υπαρχει.Εξαλλου το command rate εχει να κανει με το χρονο που απαιτειται για την αρχικη προσβαση σε ενα memory bank απο το Chip Select .Οταν το σημα chip select παει απο high σε low ωστε να ενεργοποιηθει ο ελεγκτης εντολων(command controller) τοτε σηματοδοτειται η δυνατοτητα προσπελασης στη μνημη.Αυτο συνηθως γινεται σε ενα κυκλο 1Τ ενω καποιες φορες π.χ εαν η μνημη ειναι registered σε δυο κυκλους.Αρα το command rate επηρεαζει μονο την αρχικη προσβαση .Δηλαδη παιζει ρολο οταν και μονο εχουμε page miss.Ενω οταν εχουμε page hit δεν παιζει ρολο.Οταν καποιο benchmark λοιπον σαν το sisoft sandra δινει μεγαλες διαφορες αυτο οφειλεται στο τροπο που χειριζεται τη μνημη κατα τη διαδικασια της μετρησης και οχι στη real life αποδοση οπως θα λεγαμε.Αρα...βαλε το command rate στο 2Τ και μην το πειραζεις.Ο λογος που δεν μπορεις να τρεξεις σε 1Τ με 4 dimms ειναι επειδη υπαρχουν πολλα memory banks στο συστημα και η επιπροσθετη καθυστερηση ειναι απαραιτητη ωστε να βρεθουν τα υπο αναζητηση δεδομενα.Να προσδιοριστει σε ποιο memory bank βρισκονται δηλαδη.Μην προτιμησεις το 2χ256 αλλα το 4χ256 με χρονισμο 2.5-3-3-6 στα 2.70V.Υπαρχει κατι σημαντικο που οι περισσοτεροι αγνοουν.Η διαφορα στις επιδοσεις μεταξυ CAS latency 2 και 2.5 ειναι μολις 1% ενω μεταξυ CAS latency 2.5 και 3 ειναι καπως μεγαλυτερη.Ο λογος που συμβαινει αυτο οφειλεται στο εξης.Η DDR κανει αυτο που ονομαζουμε command forwarding.Μπορει δηλαδη να εκκινησει τη εντολη read μια CAS latency προτου ολοκληρωθει η μεταφορα δεδομενων χωρις να επηρεαζει τη data integrity(ακεραιοτητα δεδομενων) στα buffer εξοδου.Αυτο βεβαιως σημαινει οτι μεταξυ cas 2 και cas 2,5 εχουμε ποινη 0.5 κυκλου μονο σε μια random access ενω οταν η προσπελαση ειναι in-page τοτε δεν υπαρχει προσθετη επιβαρυνση χρονου μεταξυ CAS 2 και CAS 2.5.Κατι ομως που δεν μπορει να γινει με CAS 3 οποτε η διαφορα αποδοσης μεταξυ Cas 2.5 και Cas 3 ειναι μεγαλυτερη απο οτι Cas 2 και 2.5.Αρα προσπαθησε να βαλεις την Cas στο 2.5 και θα παρεις αποδοση πολυ κοντα στο Cas 2.Όλα αυτά που λές αληθέυουν!!! Συνχαρητίρια!! :038: Ναι ος εδώ αλλα άμμα ο χρήστης αν έχει τώρα 2χ512 και μετά απο λίγο αγοράσει άλλες 2χ512 δέν θα έχει και MB και ταχύτητα!! 2GB λίγα είναι???Τρέχεις τα πάντα!!!! :077:
chaos Μάϊος 26, 2005 #12 Μάϊος 26, 2005 Προσπαθουμε να βρουμε μια λυση υπο τις συνθηκες ειτε του να κρατησει τις υπαρχουσες μνημες ειτε του να παρει καινουριες με ενα κοστος λογικο.Αν δεν ηταν ετσι ας παρει 4χ1Gb Ocz pc5000 να κανει τη δουλεια του το παιδι... :045:
schumifer Μάϊος 26, 2005 #13 Μάϊος 26, 2005 ΟΤ έχεις τις Samsung του eshop και πάνε τόσο ψηλά?Την τελευταία φορά που είχα διαβάσει για αυτές λέγανε ότι είνια ψοφίμια ΟΤ
MADKiller7 Μάϊος 26, 2005 Author #14 Μάϊος 26, 2005 @chaos ευχαριστω για τις πληροφοριες,1-2 λεπτομεριες που ανεφερες δεν τις ηξεραγενικα ομως αλλη ειναι η απορια μου,παντως επειδη δοκιμασα 2*256 @250ΜΗz μπορω να πω οτι προτιμω τα 4*256 @233,ευχαριστω για την βοηθεια και τις γνωμες απο ολους.μια και ειναι η πρωτη φορα που αγορασα μνημες που ανεβαινουν πολυ θα τις κρατησω και τις 4.εδω που ειμαι ειναι απο πολυ δυσκολο μεχρι ακτορθωτο να ερθουν μνημες με τσιπακια τις προκοπηςΥΓ. ισως δω παραπανω MHZ με τις 4 μνημες αν παρω κανενα venice,παντως ο IMC του winchester καλα τα πηγε με τα 4 dimmακια στα 233 2Τ
chaos Μάϊος 27, 2005 #15 Μάϊος 27, 2005 Ελπιζω να βοηθησα...αλλα δεν μπορω να καταλαβω γιατι δεν τους δινεις λιγο ρευμα παραπανω ωστε να σφιξεις τα timings παρολο που η γενικοτερη υποθεση ειναι θεμα προβληματικου Integrated Memory controller.
MADKiller7 Μάϊος 27, 2005 Author #16 Μάϊος 27, 2005 @chaos δεν ειναι θεμα προβληματικου IMC,το αντιθετο,δουλευει πανω απο τα κανονικα του και χωρις κανενα προβλημα.κοιτα λιγο τις προδιαγραφες του και θα δεις.τωρα για τις μνημες,φιλε μου,αν ψαξεις και δοκιμασεις θα δεις οτι οι samsung δεν ειναι μνημες που ακουνε στο ρευμα,το αντιθετο θα δωσουν τα μεγιστα σε MHz με 2.6 η 2,7 βολτ,παραπανω πχ. στα 3 το μονο που θα καταφερεις ειναι να τις ζοριζεις χωρις διαφορα και ισως να τις καψεις.επισης οι TCCC και λιγοτερο οι ΤCCD δεν ειναι και πολυ των χαμηλων timings.στα cl 2 δεν δουλευουν οι δικες μου,στα cl 2.5 θελω 2,8 βολτ και δεν πανε πανω απο 206 ΜΗz,αντιθετα φτανουν 243 με 3-3-3-8 2Τ και 261 με 3-4-4-8 2Τ ολα αυτα στα 2,7 βολτ
Greek Μάϊος 27, 2005 #17 Μάϊος 27, 2005 Εγώ λέω ποσότητα. Πιο πολύ 8α κερδίσεις παρά να είναι καλύτερα χρονισμένες. Και το κατάλαβα καλά αυτό με το L2 πόπου το άτιμο καταπίνει την μνήμη σαν νεράκι. Πάλι καλά μπου είχα 1 ΓΒ αλλιώς με 512 δεν θα την έβγαζα καθαρή.....
schumifer Μάϊος 27, 2005 #18 Μάϊος 27, 2005 ΟΤκαι πάλι )σε ευχαριστώ δεν το γνώριζα αυτό.Χαλαρά πούλα τες και πάρε όσο είναι καιρός -τώρα δηλαδή που είναι και τζάμπα 2Χ512.
gfa3 Μάϊος 27, 2005 #19 Μάϊος 27, 2005 Εγω λεω κρατησε αυτες που εχεις ειναι καλυτερα η ποσοτητα απο την ταχυτητα η οποια δεν εχει και καμια τεραστια διαφορα.
MrSeanKon Μάϊος 27, 2005 #20 Μάϊος 27, 2005 να κοιταξεις εδω απο το 30o post και κατω περι επιδοσεων πως θα βρεις τι βολευει στην εφαρμογη που θες να τρεχεις βελτιστα.Ειδικα το 31ο post τα λεει ολα βημα προς βημα...Συνεπως θα κατασταλαξεις τι σε δολευει σφιχτα timings και λιγοτερο FSB ή μεγαλυτερο FSB και χαλαρα timings ή περισσοτερα MHz κλπ...Πολλαπλασιαστης ξεχνα τον ηδη εχεις μικρο οποτε αστον ετσι οπως ειναι....Αμα αγορασεις αλλον επεξεργαστη τοτε παιξε και με τον πολλαπλασιαστη...Τα 2Χ512ΜΒ ανεβαινουν καλυτερα απ' οτι τα 4Χ256....Πρωτα-πρωτα οσο βαζεις περισσοτερα modules μνημης μειωνεται και το Vdimm ελαφρως (εξαρταται και με τη μητρικη) κλπ..Επομενως αμα μπορεις σκοτωσε τα και παρε 2Χ512.
Recommended Posts
Archived
This topic is now archived and is closed to further replies.