BH5/6 σε DFI LP NF3

[chroma]

Βλέπω πολλούς με 512ΜΒ dimm να παίζουν καλύτερα τα 2x512 σε θέσεις 1-3 κάτι που δεν ισχύει στη μητρική μου καθώς παίζουν πιο ψηλά στα 1-2 (και ο λόγος του θέματος αυτού). Σε 1-3 απλά δίνουν κάποια λάθη μετά τα 245 που δεν διορθώνονται, τουλάχιστον δεν έχω βρει πως. Σε 1-2 τα λάθη εξαφανίζονται και ανεβαίνουν οι μνήμες φυσιολογικά. Παραδόξως τα 2x256 παίζουν καλύτερα 1-3. Παρακάτω τα timings που έχουν δουλέψει καλύτερα εως τώρα, τόσο σε 512 (1-2) όσο και 256 (1-3) Υπόψη τα 512 είναι mushkin 3200 bh6 και τα 256 kingston value bh5.

Dram Frequency Set(Mhz)= 200(Mhz)(1/01)

Command Per Clock(CPC)= Enable(1T)

Cas Latency Control(tCL)= 2

RAS# to CAS# delay(tRCD)= 2

Min RAS# active timing(tRAS)=5

Row Precharge timing(tRP)= 2

Row Cycle Time(tRC)= 7

Row Refresh cyc time(tRFC)= 12

Row to Row Delay(Ras to Ras delay)(tRRD)=00

Write Recovery Time(tWR)= 2

Write to read Delay(tWTR)= 1

Read to Write delay(tRTW)=1

Refresh Period(tREF)= Auto ή 3120

Write CAS# Latency(tWCL)= 1

--

DQS skew Contro= Auto

DQS Skew Value= 0

DRAM Drive Strength= Level 1

Max Asynce lantency=7ns

Read Preamble time=5ns

Idle Cycle Limit= 016

Dynamic Counter= Enable

R/W Queue Bypass=16x

Bypass Max= 07x

32 byte Granulation=Disable(8burst)

[zyx]

εχω διαβασει παντος που λενε οτι καμια φορα χρειαζετε και DRAM Drive Strength= Level 2 να μπη βεβεα δεν το εχω δοκιμασει εγω ο ιδιος. βασιλη με row to row το 00 σε μερικα bench και στα 2003 ειναι πιο γρηγορο το 2 παντος

[chroma]

To level 2 με τα 2x256 έδινε περισσότερη αστάθεια, στα 2x512 σε μια πρόχειρη δοκιμή έβγαλε λάθη εκεί που ήταν καθαρό με level 1. Το διαβάζω και αλλού αλλά εδώ δεν δουλεύει φαίνεται. Για το row to row με έβαλε σε υποψίες ο γνωστός paparazzi και όντως δίνει μερικά κλάσματα σε bench, αν και το band στο memtest δεν αλλάζει. Πάντως και οι δυο αυτές ρυθμίσεις δε φαίνεται να έχουν επίδραση στο 1-2 και πολύ θα βόλευε (λόγω ψύξης) να καταφέρω τα 2x512 σε 1-3.